金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，叫源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有滿足的正電壓(源極接地)時，柵極下的N型硅外表呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓能夠改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。假如N型硅襯底外表不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當?shù)钠珘海墒箿系赖碾娮柙龃蠡驕p小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。
P溝道MOS管的空穴遷移率低，因而在MOS管的幾許尺寸和工作電壓絕對值相等的狀況下，PMOS管的跨導小于N溝道MOS管。此外，P溝道MOS管閾值電壓的絕對值普通偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。這就給PMOS管的運用領域有了必定的限制。
PMOS管因邏輯擺幅大，充電放電進程長，加之器材跨導小，所以工作速度更低，在NMOS管電路呈現(xiàn)之后，大都已為NMOS電路所替代。僅僅，因PMOS管電路工藝簡略，價錢低廉，有些中范圍和小范圍數(shù)字控制電路仍采用PMOS管電路技能。PMOS管的特性，Vgs小于必定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的狀況（高端驅動）。
當然PMOS管能夠很便當?shù)赜米鞲叨蓑寗樱捎趯娮璐螅涣鞣N類少等緣由，在高端驅動中，一般還是運用NMOS管。正常工作時，P溝道增強型MOS管的襯底必需與源極相連，而漏心極的電壓Vds應為負值，以保證兩個P區(qū)與襯底之間的PN結均為反偏，一起為了在襯底頂外表左近構成導電溝道，柵極對源極的電壓Vgs也應為負。
P-MOS開關條件
P-MOS管的導通調(diào)節(jié)是G極與S極中間的電壓差低于閾值時，S極和D極導通。
在實際的使用中，將控制信號接到G極，S極接在VCC，從而達到控制P-MOS管的開和關的效果，在S極和D極導通后，導通電阻Rds(on)極小，一般是幾十毫歐級，電流流通后，形成的壓降很小。
P-MOS的應用
1.電源通斷控制
P-MOS管的通斷控制，其實就是控制其Vgs的電壓，從而達到控制電源的目的。
Key開關閉合前，P-MOS管輸出電壓0.0164V，閉合后，P-MOS管輸出電壓5V。
但在實際電路中，一般都用MCU的GPIO代替Key開關來控制，同時MCU高電平時3.3V，因此GPIO輸出控制信號時需要使用三極管，在這里三極管的選擇也有區(qū)別。
有時候我們想要一個GPIO控制幾個信號時，這就考慮到電平匹配的問題。
2.高電平控制電源導通，用一個NPN三極管
3.低電平控制電源導通，用一組PNP+NPN三極管
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