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  • V-FET或功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)工作原理知識(shí)詳情
    • 發(fā)布時(shí)間:2020-08-31 17:04:33
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    V-FET或功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)工作原理知識(shí)詳情
    V-FET或功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)知識(shí)
    功率MOS管通常采用V型配置,如圖所示。這就是為什么該元器件有時(shí)被稱(chēng)為V-MOS管或V-FET。
    功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型。結(jié)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般稱(chēng)作靜電感應(yīng)晶體管(Static Induction Transistor——SIT)。其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,需要的驅(qū)動(dòng)功率小,開(kāi)關(guān)速度快,工作頻率高,熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR,但其電流容量小,耐壓低,一般只適用于功率不超過(guò)10kW的電力電子裝置。
    功率MOS管工作原理
    V-FET,功率MOS管
    功率MOS管通常采用V型配置,如圖所示。這就是為什么該器件有時(shí)被稱(chēng)為V-MOS管或V-FET。如圖所示,V形切口從器件表面穿N +,P和N~層幾乎滲透到N +襯底。N +層是重?fù)诫s的低電阻材料,而N +層是輕摻雜的高電阻區(qū)域。二氧化硅介電層覆蓋水平表面和V形切割表面。絕緣柵極是在V形切口中沉積在SiO 2上的金屬膜。源極端子通過(guò)SiO 2層與上N +和P- 層接觸。N +襯底是器件的漏極端子。
    V-MOS管是一個(gè)E模式FET,漏極和源極之間不存在溝道,直到柵極相對(duì)于源極為正。為使柵極相對(duì)于源極為正,在柵極附近形成N型溝道,與E-MOS管的情況一樣。在這種情況下,N型溝道為電荷載流子在N +襯底(即漏極)和N +源極端子之間流動(dòng)提供垂直路徑。當(dāng)V GS為零或負(fù)時(shí),不存在通道且漏極電流為零。
    增強(qiáng)型N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和傳輸特性與E-MOS管類(lèi)似,如圖2和3所示。隨著柵極電壓的增加,溝道電阻減小,因此漏極電I D增加。因此,可以通過(guò)柵極電壓控制來(lái)控制漏極電流I D,使得對(duì)于給定的V GS電平,I D在寬的V DS電平范圍內(nèi)保持相當(dāng)恒定。
    對(duì)于任何給定尺寸的器件,位于V-場(chǎng)效應(yīng)管底部(而不是頂部表面)的漏極端子可以具有相當(dāng)大的面積。與在表面具有漏極和源極的場(chǎng)效應(yīng)管相比,這允許更大的功耗。
    在功率或V-MOS管中,溝道長(zhǎng)度由擴(kuò)散過(guò)程決定,而在其他MOS管中,溝道長(zhǎng)度取決于擴(kuò)散過(guò)程中使用的攝影掩模的尺寸。通過(guò)控制摻雜密度和擴(kuò)散時(shí)間,可以產(chǎn)生比通道長(zhǎng)度的掩??刂聘痰耐ǖ?。這些較短的通道允許更大的電流密度,這再次導(dǎo)致更大的功率耗散。較短的溝道長(zhǎng)度還允許在V-FET中獲得更大的跨導(dǎo)g m,并且非常顯著地改善了頻率響應(yīng)和器件切換時(shí)間。
    功率MOS管的幾何結(jié)構(gòu)中的另一個(gè)非常重要的因素是存在靠近N +襯底的輕摻雜N -外延層。當(dāng)V GS為零或負(fù)并且漏極相對(duì)于源極為正時(shí),P層和N~層之間的結(jié)被反向偏置。結(jié)處的耗盡區(qū)深入N層,因此避免了從漏極到源極的穿通。因此可以應(yīng)用相對(duì)較高的V DS而沒(méi)有任何設(shè)備故障的危險(xiǎn)。
    還提供P溝道V-MOS管。它們的特性與N溝道MOS管類(lèi)似,只是電流方向和電壓極性相反。
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