N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí)
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)如下圖所示：
N溝道增強(qiáng)型
連接 s 極和襯底，在 s 和 g 之間施加正向電壓 Ugs，如下圖所示：
排斥
此時(shí)，正電壓排斥襯底中的空穴，使靠近金屬的襯底形成負(fù)離子層；同時(shí)，PN 結(jié)正向偏執(zhí)，N 中的自由電子吸引到負(fù)離子層。
此時(shí)，在 s 和 d 之間形成了一個(gè) N 型溝道，稱(chēng)為反型層，如下圖所示：
反型層
能夠使溝道形成的電壓稱(chēng)為開(kāi)啟電壓，表示為 UGS。
溝道形成后，在 d 和 s 之間加正電壓，d 會(huì)有電流產(chǎn)生。如下圖所示：
漏電流
但是，當(dāng) d 和 s 間電壓增大時(shí)，g 和 d 間電壓減小，d 極 PN 結(jié)偏置被減弱，溝道開(kāi)始變窄，直至當(dāng) Uds = UGS 時(shí)，出現(xiàn)夾斷，稱(chēng)為預(yù)夾斷，如下圖所示：
預(yù)夾斷
此時(shí)，再增加 d 、s 間電壓，電流也不會(huì)有明顯變化。
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性曲線如下圖所示：
輸出特性曲線
在可變電阻區(qū)，Ugs 和 Uds 都會(huì)對(duì)輸出漏電流產(chǎn)生影響。而在恒流區(qū)，僅 Ugs 對(duì)漏電流產(chǎn)生影響。
值得一提的是，當(dāng) MOS 管處于恒流區(qū)時(shí)，漏電流相當(dāng)于一個(gè)由 Ugs 控制的電流源。
在 CCD 的讀出中，使用到了這一結(jié)構(gòu)：
CCD
這與「CCD 的輸出相當(dāng)于電流源」的結(jié)論吻合。
三極管2
上圖中第二個(gè)三極管（下）用于清空電平，當(dāng)三極管導(dǎo)通，s 極電子流向 d。反映在三極管的輸出信號(hào)上，g 為高電平時(shí)，就是 CCD 輸出信號(hào)參考電平前的峰值。
共源極放大電路
上圖為經(jīng)典的共源極放大電路。
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