在電子應(yīng)用中，使用兩個PMOS管背靠背連接是常見的電路設(shè)計，其主要目的是為了提高電路的穩(wěn)定性和可靠性。
那么，兩個PMOS管背靠背連接，是串聯(lián)還是并聯(lián)？事實上，兩者都是，即存在串聯(lián)和并聯(lián)兩種方式。今天我們主要帶著以下二個核心展開講解：
1. 串聯(lián)與并聯(lián)的電路設(shè)計的目的
2. 為什么不能只用一個PMOS？
2個PMOS并聯(lián)，如圖
可以看到，當(dāng)Q1和Q2（PMOS）導(dǎo)通時，左右兩邊+12V并聯(lián)增加電流，目的是為了提高VIN（輸出端）的帶載能力，用來給模塊供電。
在這里的兩個PMOS管用處就很清楚了：起到分流的作用，因為VIN負(fù)載電流會比較大。
在這里對電路設(shè)計解釋：
控制信號，也就是PHONE_POWER；
當(dāng)它輸出高電平時，三極管Q3導(dǎo)通，兩個PMOS Q1和Q2導(dǎo)通，VIN輸出端會等于+12V；當(dāng)它輸出低電平時，三極管Q3截止，兩個PMOS Q1和Q2截止，VIN輸出端會等于0V；
2個PMOS串聯(lián)，如圖
可以看到兩個MOS管串聯(lián)，對電路設(shè)計解釋：
控制信號，也就是PHONE_POWER；
當(dāng)它輸出高電平時，三極管Q3導(dǎo)通，兩個PMOS Q1和Q2導(dǎo)通，VIN輸入端會等于VOUT輸出端；
當(dāng)它輸出低電平時，三極管Q3截止，兩個PMOS Q1和Q2截止，VIN輸出端會等于0V；
當(dāng)需要外接輸出端VOUT進行調(diào)試時，兩個PMOS管進行關(guān)閉，可以防止輸出端VOUT的電流串到VIN輸入端處；如果沒有Q1，即輸出端VOUT電流從Q2的體二極管串到VIN輸入端處。
原理是體二極管的反向截止特性：Q1（左正右負(fù)），Q2（左負(fù)右正）
那么，為什么不能只用一個MOS管呢？
現(xiàn)在我們來討論下電路設(shè)計：
假設(shè)VIN負(fù)載最大電流為1A，電路中并聯(lián)使用兩個PMOS，每個PMOS管的IDS電流就會在0.5A以上。
那么問題來了，我們能保證兩個管子都是0.5A嗎？如果一個是0.7A，一個是0.3A或者一個0.6A，一個0.4A，那其中一個管子不就 因為電流過大而發(fā)熱甚至導(dǎo)致燒毀?
首先會想到的是，使用兩個RDS(on)同樣的MOS管，這樣流經(jīng)的電流就會一致了。
但 俗話說得好，這個世界上沒有兩片完全相同的樹葉。MOS管也一樣，兩個管子同樣會存在制造工藝的差異以及其它參數(shù)的不一致。
這時候有沒有朋友想到我們發(fā)過的一期文章？就是MOS管的均流設(shè)計。
還是和MOS管的RDS（on）有關(guān)，小編看到有朋友是這么說的。
MOS管的RDS（on）和溫度是呈正系數(shù)關(guān)系，即隨著溫度的升高，RDS（on）會增大。
由于Q1流過的電流會比Q2大，所以Q1的溫升肯定比Q2高，這時候Q1的RDS（on）會增大，RDS（on）增大后，流過Q1的電流又會變小，形成一個完整的負(fù)反饋，并實現(xiàn)了均流。
不過，想要更保險起見的話，建議選擇MOS管時保有余量。比如VIN的最大負(fù)載是1A，那么兩個PMOS管就可以選擇0.6~0.7A的IDS。并且最好選擇一致的型號。
這種電路設(shè)計的優(yōu)點，微碧給大家簡單進行了以下整理：
1. 電流共享，避免電流過大損壞器件的風(fēng)險；
2. 增加開關(guān)速度，兩個并聯(lián)能夠減小整個電路的開關(guān)時間，電阻越小，開關(guān)速度越快；
3. 降低電磁干擾，背靠背連接能夠減小開關(guān)過程中產(chǎn)生的電磁干擾；
4. 提高電路的可靠性，當(dāng)一個PMOS管出現(xiàn)故障時，另一個PMOS管仍然可以繼續(xù)工作；
5. 降低成本，選擇MOS管時可以在一定程度上降低總成本。
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