您好！歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)！
- 收藏?zé)@芯微
- 手機訪問
掃一掃訪問手機網(wǎng)站 - 在線留言
- 網(wǎng)站地圖
深圳市烜芯微科技有限公司
ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd 二極管、三極管、MOS管、橋堆
全國服務(wù)熱線：18923864027
N
新聞中心
ews center
R
烜芯微推薦產(chǎn)品
ecommended
聯(lián)系烜芯微
咨詢熱線：
18923864027
傳真：
18923864027
QQ：
709211280
地址：
深圳市福田區(qū)振中路84號愛華科研樓7層
-
開關(guān)損耗測量中需要注意的問題分析
2023-04-14
開關(guān)損耗測量中需要注意的問題分析開關(guān)損耗測量中應(yīng)考慮哪些問題在實際的測量評估中，我們用一個通道測量電壓，另一個通道測量電流，然后軟
-
驅(qū)動電路中的誤開通介紹
2023-04-14
驅(qū)動電路中的誤開通介紹驅(qū)動電路中的誤開通功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一個受門極電壓控制的開關(guān)。當(dāng)門極電壓大于開通閾值時，功
-
驅(qū)動電路中的誤開通怎么避免
2023-04-13
驅(qū)動電路中的誤開通怎么避免避免驅(qū)動誤開通的方法門極電阻、電容法為了避免功率管的誤開通，常用的方法是通過調(diào)整門極驅(qū)動的電阻和電容，如
-
SiC MOSFET橋臂串?dāng)_問題,誤開通詳解
2023-04-13
SiC MOSFET橋臂串?dāng)_問題,誤開通詳解相較于傳統(tǒng)的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的導(dǎo)通電阻，更快的開關(guān)速度，使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效
-
MOS管驅(qū)動電路功率損耗怎么計算
2023-04-13
MOS管驅(qū)動電路功率損耗怎么計算在一些大電流的MOS管應(yīng)用電路中，功耗越大，意味著發(fā)熱越多，器件溫升就越高，這對于電路的穩(wěn)定工作而言是個
-
小功率電源MOS管驅(qū)動電路設(shè)計圖文介紹
2023-04-12
小功率電源MOS管驅(qū)動電路設(shè)計圖文介紹MOS管驅(qū)動電路設(shè)計對于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動電路設(shè)計相對簡單，只需要一個驅(qū)動電阻Rg即可對
-
SiC MOSFET尖峰產(chǎn)生原因與抑制介紹
2023-04-12
SiC MOSFET尖峰產(chǎn)生原因與抑制介紹SiC MOSFET DS電壓尖峰產(chǎn)生原因在半橋電路中，針對MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖
-
MOSFET應(yīng)用,緩沖電路種類詳解
2023-04-12
MOSFET應(yīng)用,緩沖電路種類詳解緩沖電路的種類緩沖電路分為由電阻、線圈和電容器等被動部件組合的電路，和包含半導(dǎo)體元器件的主動電路。為了
-
緩沖電路設(shè)計方法介紹
2023-04-11
緩沖電路設(shè)計方法介紹緩沖電路的設(shè)計方法1．圖所示的緩沖電路是通過CSNB 吸收LTRACE 積蓄的能量。因此，在緩沖電路中形成的LSNB 必須比L
-
不同封裝造成的電壓尖峰差異介紹
2023-04-11
不同封裝造成的電壓尖峰差異介紹SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在
-
同步降壓MOSFET電阻比正確選擇介紹
2023-04-11
同步降壓MOSFET電阻比正確選擇介紹在本文中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)
-
DCDC,電源IC損耗計算方法介紹
2023-04-10
DCDC,電源IC損耗計算方法介紹本文將在簡單的前提下，介紹一種利用現(xiàn)有數(shù)據(jù)求出電源IC損耗的方法。損耗的簡單計算方法在很多情況下，電源IC