您好！歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)！
- 收藏?zé)@芯微
- 手機(jī)訪問
掃一掃訪問手機(jī)網(wǎng)站 - 在線留言
- 網(wǎng)站地圖
深圳市烜芯微科技有限公司
ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd 二極管、三極管、MOS管、橋堆
全國服務(wù)熱線：18923864027
N
新聞中心
ews center
R
烜芯微推薦產(chǎn)品
ecommended
聯(lián)系烜芯微
咨詢熱線：
18923864027
傳真：
18923864027
QQ：
709211280
地址：
深圳市福田區(qū)振中路84號(hào)愛華科研樓7層
-
MOS管開關(guān)電路圖,MOS管開關(guān)電路設(shè)計(jì)介紹
2024-07-23
MOS管開關(guān)電路圖,MOS管開關(guān)電路設(shè)計(jì)介紹在設(shè)計(jì)MOS管開關(guān)電路時(shí)，就要充分了解MOS管的工作原理。下面咱們來詳細(xì)說明。MOS管的工作區(qū)域MOS管
-
MOS管如何選,怎么選的合適的MOS管
2024-07-23
MOS管如何選,怎么選的合適的MOS管1）基本常識(shí)點(diǎn)：我們都知道MOS管的帶載能力與漏源電流和內(nèi)阻有關(guān)，漏源電流越大，內(nèi)阻越小，帶載能力越強(qiáng)
-
MOS管驅(qū)動(dòng)電阻大小的影響介紹
2024-07-23
MOS管驅(qū)動(dòng)電阻大小的影響介紹一、驅(qū)動(dòng)電阻對(duì)開關(guān)速度的影響1 開關(guān)速度的定義開關(guān)速度是指MOS管從截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)（或反之）所需的
-
MOS管的選型與測量介紹
2024-07-22
MOS管的選型與測量介紹MOS管一般用通常用Q，VT表示比較常用的基本上是增強(qiáng)型MOS管，按結(jié)構(gòu)分MOS管有什么特性呢？從圖中需要注意的是，MOS管
-
MOS管方向的判斷方法介紹
2024-07-22
MOS管方向的判斷方法介紹MOS管是壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。MOSFET管是FET的一種，可以被制造為增強(qiáng)型
-
MOS管是什么,MOS管的優(yōu)勢介紹
2024-07-22
MOS管是什么,MOS管的優(yōu)勢介紹場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬 — 絕緣體 （insulator） — 半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他
-
MOS管常用的驅(qū)動(dòng)電路介紹
2024-07-22
MOS管常用的驅(qū)動(dòng)電路介紹電源IC直接驅(qū)動(dòng)電源IC直接驅(qū)動(dòng)是很簡單的驅(qū)動(dòng)方式，應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。①查看電源IC手冊的很大
-
mos管小電流發(fā)熱嚴(yán)重解決方法介紹
2024-07-22
mos管小電流發(fā)熱嚴(yán)重解決方法介紹小電流mos管發(fā)熱分析mos管，做電源設(shè)計(jì)，或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類，也有
-
mos管開關(guān)電路,pwm驅(qū)動(dòng)mos管開關(guān)電路圖介紹
2024-07-22
mos管開關(guān)電路,pwm驅(qū)動(dòng)mos管開關(guān)電路圖介紹常見pwm驅(qū)動(dòng)mos管開關(guān)電路IRF540就是很常用的MOS管了，特殊負(fù)載如H橋里面的雙MOS驅(qū)動(dòng)。有專用的
-
MOS管的概念,結(jié)構(gòu)與原理介紹
2024-07-22
MOS管的概念,結(jié)構(gòu)與原理介紹1、什么是MOS管MOS管也就是常說的MOSFET。 MOSFET全稱是：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Trans
-
MOS管的米勒效應(yīng)解析
2024-07-20
MOS管的米勒效應(yīng)解析1）首先了解下米勒電容如上圖，我們可以看到MOS內(nèi)部其實(shí)存在寄生電容，如Cgs,Cds,Cgd;其實(shí)在給柵極電壓過程就是給電容
-
MOS管的基礎(chǔ)特性和實(shí)際應(yīng)用介紹
2024-07-20
MOS管的基礎(chǔ)特性和實(shí)際應(yīng)用介紹一、MOS管的基礎(chǔ)特性（1）MOS管有柵極G，漏極D，源極S；（2）PMOS管（類似于PNP），低電平導(dǎo)通，高電平截止